Name: CSD19538Q2R
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-CSD19538Q2RTR-ND
Price: 3.28143 SEK
Availability: OutOfStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

CSD19538Q2R
DigiKeys produktnummer	296-CSD19538Q2RTR-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare	Texas Instruments
Tillverkarens produktnummer	CSD19538Q2R
Beskrivning	100-V, N CHANNEL NEXFET POWER MO
Tillverkarens standardleveranstid	12 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 4,6A (Ta), 13,1A (Tc) 2,5W (Ta), 20,2W (Tc) Ytmontering 6-WSON (2x2)
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Förpackning	Remsa och spole (TR)
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	4,6A (Ta), 13,1A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	59mOhm vid 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,8V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	5.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	454 pF @ 50 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2,5W (Ta), 20,2W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	6-WSON (2x2)
Inkapsling/låda	6-WDFN exponerad kontaktyta