Name: SCTL90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTL90N65G2VTR-ND
Price: 344.45 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SCTL90N65G2V
DigiKeys produktnummer	497-SCTL90N65G2VTR-ND - Remsa och spole (TR) 497-SCTL90N65G2VCT-ND - Remsbit (CT) 497-SCTL90N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	STMicroelectronics
Tillverkarens produktnummer	SCTL90N65G2V
Beskrivning	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 40 A (Tc) 935W (Tc) Ytmontering PowerFlat™ (8x8) HV
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SCTL90N65G2V Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	STMicroelectronics
Serie	-
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	40 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	18V
Rds On (max) @ Id, Vgs	24mOhm vid 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	157 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+22V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	3380 pF @ 400 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	935W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerFlat™ (8x8) HV
Inkapsling/låda	4-PowerVDFN