Name: IMTA65R020M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMTA65R020M2HXTMA1TR-ND
Price: 174.5875 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMTA65R020M2HXTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMTA65R020M2HXTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IMTA65R020M2HXTMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IMTA65R020M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMTA65R020M2HXTMA1
Beskrivning	SILICON CARBIDE MOSFET
Tillverkarens standardleveranstid	61 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 77 A (Tc) 416W (Tc)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMTA65R020M2HXTMA1 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 15V, 20V
Tillv. Infineon Technologies	Rds On (max) @ Id, Vgs 18mOhm vid 46,9A, 20V
Serie CoolSiC™	Vgs(th) (Max) @ Id 5,6V vid 9,5mA
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 18 V
Artikelstatus Aktiv	Vgs (Max) +23V, -7V
FET-typ N-kanal	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 2038 pF @ 400 V
Teknologi SiCFET (kiselkarbid)	Effektförlust (max) 416W (Tc)
Drain till source-spänning (Vdss) 650 V	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 77 A (Tc)