SCT20N120 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

IXFB40N110P
IXYS
I lager: 20
Enhetspris : kr 440,68000
Datablad

Similar

IXFH30N85X
IXYS
I lager: 277
Enhetspris : kr 129,29000
Datablad

Similar

IXFH32N100X
IXYS
I lager: 201
Enhetspris : kr 211,72000
Datablad

Similar

IXFX40N90P
IXYS
I lager: 677
Enhetspris : kr 249,46000
Datablad

Similar

MSC180SMA120B
Microchip Technology
I lager: 26
Enhetspris : kr 78,46000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 1200 V 20 A (Tc) 175W (Tc) Genomgående hål HiP247™
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SCT20N120

DigiKeys produktnummer
497-15170-ND
Tillverkare
STMicroelectronics
Tillverkarens produktnummer
SCT20N120
Beskrivning
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 20 A (Tc) 175W (Tc) Genomgående hål HiP247™
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
SCT20N120 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
STMicroelectronics
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
20 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
20V
Rds On (max) @ Id, Vgs
290mOhm vid 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3,5V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
650 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
175W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-200°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
HiP247™
Inkapsling/låda
TO-247-3
Basproduktens nummer
SCT20
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.