N-kanal 1000 V 32 A (Tc) 890W (Tc) Genomgående hål TO-247
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IXFH32N100X

DigiKeys produktnummer
IXFH32N100X-ND
Tillverkare
IXYS
Tillverkarens produktnummer
IXFH32N100X
Beskrivning
MOSFET N-CH 1000V 32A TO247
Tillverkarens standardleveranstid
27 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1000 V 32 A (Tc) 890W (Tc) Genomgående hål TO-247
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
IXYS
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1000 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
32 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
220mOhm vid 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V vid 4mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4075 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
890W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247
Inkapsling/låda
TO-247-3
Basproduktens nummer
IXFH32
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 201
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 211,72000kr 211,72
30kr 134,88267kr 4 046,48
120kr 124,90250kr 14 988,30
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 211,72000
Enhetspris inkl. moms:kr 264,65000
Du är kanske också intresserad avVisa alla
2 Artiklar
S4D40120H

S4D40120H

DIODE SIC 1.2KV 128A TO247AC

SMC Diode Solutions

kr 66,18000
OPA210IDBVR

OPA210IDBVR

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SOT23-5

Texas Instruments

kr 30,61000