SCT040W120G3-4 är slut i lager och kan restnoteras.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar


GeneSiC Semiconductor
I lager: 414
Enhetspris : kr 140,99000
Datablad
TO-247-4
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SCT040W120G3-4

DigiKeys produktnummer
497-SCT040W120G3-4-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
SCT040W120G3-4
Beskrivning
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Tillverkarens standardleveranstid
17 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 40 A (Tc) 312W (Tc) Genomgående hål TO-247-4
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
*
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
54mOhm vid 16A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,2V vid 5mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+18V, -5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1329 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
312W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-200°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247-4
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

0 i lager
Kontrollera leveranstid
Begär lagermeddelande
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 148,84000kr 148,84
30kr 91,56733kr 2 747,02
120kr 79,02875kr 9 483,45
510kr 78,54729kr 40 059,12
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 148,84000
Enhetspris inkl. moms:kr 186,05000