Name: GP3T080A120H
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GP3T080A120H-ND
Price: 67.6875 SEK
Availability: InStock

Ny produkt

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

GP3T080A120H
DigiKeys produktnummer	1560-GP3T080A120H-ND
Tillverkare	SemiQ
Tillverkarens produktnummer	GP3T080A120H
Beskrivning	GEN3 1200V, 80M SIC MOSFET, TO-2
Tillverkarens standardleveranstid	22 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 32 A (Tc) 147W (Tc) Genomgående hål TO-247-4
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	SemiQ
Serie	QSiC™
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	32 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	18V
Rds On (max) @ Id, Vgs	100mOhm vid 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 5mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	53 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+22V, -8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1351 pF @ 1000 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	147W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	TO-247-4
Inkapsling/låda	TO-247-4

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 133

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 54,15000	kr 54,15
10	kr 36,21200	kr 362,12
100	kr 26,01960	kr 2 601,96
500	kr 21,67508	kr 10 837,54
1 000	kr 20,79000	kr 20 790,00

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.