Name: NVMYS4D1N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMYS4D1N06CLTWGTR-ND
Price: 24.45 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

NVMYS4D1N06CLTWG
DigiKeys produktnummer	488-NVMYS4D1N06CLTWGTR-ND - Remsa och spole (TR) 488-NVMYS4D1N06CLTWGCT-ND - Remsbit (CT) 488-NVMYS4D1N06CLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	onsemi
Tillverkarens produktnummer	NVMYS4D1N06CLTWG
Beskrivning	MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4
Tillverkarens standardleveranstid	22 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 60 V 22A (Ta), 100A (Tc) 3,7W (Ta), 79W (Tc) Ytmontering LFPAK4 (5x6)
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	onsemi
Serie	-
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	22A (Ta), 100A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	4mOhm vid 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V vid 80µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2200 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3,7W (Ta), 79W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	LFPAK4 (5x6)
Inkapsling/låda	SOT-1023, 4-LFPAK
Basproduktens nummer	NVMYS4