Name: HGT1S10N120BNST
Brand: onsemi
SKU: HGT1S10N120BNSTTR-ND
Price: 61.5375 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

HGT1S10N120BNST
DigiKeys produktnummer	HGT1S10N120BNSTTR-ND - Remsa och spole (TR) HGT1S10N120BNSTCT-ND - Remsbit (CT) HGT1S10N120BNSTDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	onsemi
Tillverkarens produktnummer	HGT1S10N120BNST
Beskrivning	IGBT NPT 1200V 35A TO-263
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	IGBT NPT 1200 V 35 A 298 W Ytmontering TO-263 (D2PAK)
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer IGBT:er Enskilda IGBT:er
Tillverkare	onsemi
Serie	-
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
IGBT-typ	NPT
Spänning - kollektor-emitter-genombrott (max)	1200 V
Ström - kollektor (Ic) (max)	35 A
Ström - kollektor, pulserad (Icm)	80 A
Vce(på) (Max) @ Vge, Ic	2,7V vid 15V, 10A
Effekt - max	298 W
Switchenergi	320µJ (på), 800µJ (av)
Ingångstyp	Standard
Gateladdning	100 nC
Td (på/av) @ 25°C	23ns/165ns
Testvillkor	960V, 10A, 10Ohm, 15V
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Monteringstyp	Ytmontering
Inkapsling/låda	TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Leverantörens enhetsförpackning	TO-263 (D2PAK)
Basproduktens nummer	HGT1S10