IGBT:er

GBT:er (Insulated Gate Bipolar Transistors) är flerskiktade halvledarkomponenter med tre kontakteringar som kan hantera höga strömmar och klara snabba omkopplingar. De är karaktäriserade efter komponenttyp, genombrottsspänning mellan kollektor och emitter, kollektorström, pulsad kollektorström, VCE(ON), switchningsenergi och laddning på styret (gaten).