FQB30N06LTM onsemi | Diskreta halvledarprodukter

FQB30N06LTM har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

Infineon Technologies

I lager: 1 646

Enhetspris : kr 19,75000

Similar

Nexperia USA Inc.

I lager: 0

Enhetspris : kr 21,17000

Similar

Nexperia USA Inc.

I lager: 80

Enhetspris : kr 45,36000

Similar

Nexperia USA Inc.

I lager: 11 682

Enhetspris : kr 24,10000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

FQB30N06LTM
DigiKeys produktnummer	FQB30N06LTMTR-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare	onsemi
Tillverkarens produktnummer	FQB30N06LTM
Beskrivning	MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 60 V 32 A (Tc) 3,75W (Ta), 79W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	FQB30N06LTM Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	onsemi
Serie	QFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR)
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	32 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	35mOhm vid 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1040 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3,75W (Ta), 79W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	TO-263 (D2PAK)
Inkapsling/låda	TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer	FQB30N06