Name: IPT047N15NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT047N15NM6ATMA1TR-ND
Price: 55.4 SEK
Availability: InStock

Ny produkt

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPT047N15NM6ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPT047N15NM6ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IPT047N15NM6ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IPT047N15NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPT047N15NM6ATMA1
Beskrivning	IPT047N15NM6ATMA1
Tillverkarens standardleveranstid	12 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 150 V 18,6A (Ta), 147A (Tc) 3,8W (Ta), 234W (Tc) Ytmontering PG-HSOF-8-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPT047N15NM6ATMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	150 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	18,6A (Ta), 147A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	8V, 15V
Rds On (max) @ Id, Vgs	4,4mOhm vid 58A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 131µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	4700 pF @ 75 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3,8W (Ta), 234W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-HSOF-8-1
Inkapsling/låda	8-PowerSFN