Name: IPD65R660CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND
Price: 26.7 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

IPD65R660CFDAATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IPD65R660CFDAATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IPD65R660CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPD65R660CFDAATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 6 A (Tc) 62,5W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPD65R660CFDAATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	6 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	660mOhm vid 3,22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4,5V vid 214,55µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	543 pF @ 100 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	62,5W (Tc)
Arbetstemperatur	-40°C-150°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO252-3
Inkapsling/låda	TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Basproduktens nummer	IPD65R660

Antal	Enhetspris	Totalpris
2 500	kr 5,98801	kr 14 970,02
5 000	kr 5,86503	kr 29 325,15

Enhetspris exkl. moms:	kr 21,36000
Enhetspris inkl. moms:	kr 26,70000

IPD65R660CFDAATMA1