N-kanal 120 V 120 A (Tc) 300W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 120 V 120 A (Tc) 300W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB038N12N3GATMA1

DigiKeys produktnummer
IPB038N12N3GATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR)
IPB038N12N3GATMA1CT-ND - Remsbit (CT)
IPB038N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare
Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer
IPB038N12N3GATMA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 120 V 120 A (Tc) 300W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IPB038N12N3GATMA1 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Artikelstatus
Inte för nya designer
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
120 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
120 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
3,8mOhm vid 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 270µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13800 pF @ 60 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO263-3
Inkapsling/låda
TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer
IPB038
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 19 019
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Rekommenderas ej för nya konstruktioner. Miniminivåer kan förekomma.
Antal
Alla priser är i SEK
Remsbit (CT) & Digi-Reel®
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 50,83000kr 50,83
10kr 33,79400kr 337,94
100kr 24,11240kr 2 411,24
500kr 20,88618kr 10 443,09
* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.
Remsa och spole (TR)
Antal Enhetspris Totalpris
1 000kr 17,06387kr 17 063,87
Tillverkarens standardförpackning
Enhetspris exkl. moms:kr 50,83000
Enhetspris inkl. moms:kr 63,53750
Associerad produktVisa alla
6 Artiklar
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

kr 10,65000
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

kr 7,49000
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

kr 8,94000
IRS20752LTRPBF

IRS20752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

kr 7,31000
1EDI60N12AFXUMA1

1EDI60N12AFXUMA1

DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-51

Infineon Technologies

kr 18,51000
2EDS8265HXUMA1

2EDS8265HXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

Infineon Technologies

kr 34,67000
Du är kanske också intresserad avVisa alla
6 Artiklar
IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1

MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Infineon Technologies

kr 40,27000
BSS138-G

BSS138-G

FET 50V 3.5 OHM SOT23

onsemi

kr 4,42000
DMT12H007LPS-13

DMT12H007LPS-13

MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8

Diodes Incorporated

kr 20,31000
IXTT90P10P

IXTT90P10P

MOSFET P-CH 100V 90A TO268

IXYS

kr 145,45000
IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1

MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3

Infineon Technologies

kr 43,25000
PSMN3R8-100BS,118

PSMN3R8-100BS,118

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Nexperia USA Inc.

kr 42,61000