Name: DMWSH120H90SM3Q
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H90SM3Q-ND
Price: 158.05 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

DMWSH120H90SM3Q
DigiKeys produktnummer	31-DMWSH120H90SM3Q-ND
Tillverkare	Diodes Incorporated
Tillverkarens produktnummer	DMWSH120H90SM3Q
Beskrivning	SICFET N-CH 1200V TO-247
Tillverkarens standardleveranstid	40 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 41 A (Tc) 246W (Tc) Genomgående hål TO-247
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Diodes Incorporated
Serie	-
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	41 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	15V
Rds On (max) @ Id, Vgs	97.5mOhm vid 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,5V vid 5mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	50.9 nC @ 15 V
Vgs (Max)	+19V, -8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1090 pF @ 1000 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	246W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	TO-247
Inkapsling/låda	TO-247-3

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 24

Fabrikslager: 1 290

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 126,44000	kr 126,44
30	kr 76,88200	kr 2 306,46
120	kr 66,15000	kr 7 938,00

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.