Name: BS107PSTZ
Brand: Diodes Incorporated
SKU: BS107PSTZTB-ND
Price: 15.825 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

BS107PSTZ
DigiKeys produktnummer	BS107PSTZDICT-ND - Remsbit (CT) BS107PSTZTB-ND - Remsa och låda (TB)
Tillverkare	Diodes Incorporated
Tillverkarens produktnummer	BS107PSTZ
Beskrivning	MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
Tillverkarens standardleveranstid	12 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Genomgående hål E-Line (kompatibel med TO-92)
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Diodes Incorporated
Serie	-
Förpackning	Remsbit (CT) Remsa och låda (TB)
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	120mA (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	2,6V, 5V
Rds On (max) @ Id, Vgs	30Ohm vid 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	85 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	500mW (Ta)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	E-Line (kompatibel med TO-92)
Inkapsling/låda	E-Line-3
Basproduktens nummer	BS107