FET:ar, MOSFET:ar enskilda

Visar

av 3

Tillv. artnr.	Tillgängligt antal	Pris	Serie	Förpackning	Produktstatus	FET-typ	Teknologi	Drain till source-spänning (Vdss)	Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	Rds On (max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	FET-funktion	Effektförlust (max)	Arbetstemperatur	Grad	Godkännande	Monteringstyp	Leverantörens enhetsförpackning	Inkapsling/låda
MCH3375-TL-W-Z MOSFET P-CH 30V 1.6A SC-70FL onsemi	0 I lager	3 000 : kr 1,17265 Remsa och spole (TR)	*	Remsa och spole (TR)	Föråldrad	-	-	-	-	4V, 10V	-	-	-	±20V	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MCH3375-TL-H MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70 onsemi	0 I lager	Föråldrad	-	Remsa och spole (TR)	Föråldrad	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	1,6 A (Tc)	4V, 10V	295mOhm vid 800mA, 10V	-	2.2 nC @ 10 V	±20V	82 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SC-70FL/MCPH3	3-SMD, flata ledningar
MCH3375-TL-W MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70 onsemi	0 I lager	Föråldrad	-	Remsa och spole (TR)	Föråldrad	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	1,6 A (Ta)	4V, 10V	295mOhm vid 800mA, 10V	2,6V vid 1mA	2.2 nC @ 10 V	±20V	82 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SC-70FL/MCPH3	3-SMD, flata ledningar

Visar

av 3

Enstaka FET:ar, MOSFET:ar

Fälteffekttransistorer (FET:ar) och MOSFET:ar (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) är olika typer av transistorer som används för att förstärka eller switcha elektroniska signaler.

En FET fungerar genom att styra flödet av elektrisk ström mellan source- och drain-anslutningarna genom ett elektriskt fält som genereras av en spänning som appliceras på gate-anslutningen. Den största fördelen med FET:ar är deras höga ingångsimpedans, vilket gör dem perfekta för användning i signalförstärkning och analoga kretsar. De används ofta i tillämpningar som förstärkare, oscillatorer och buffertsteg i elektroniska kretsar.

MOSFET:ar, som är en undertyp av FET:ar, har en gate-anslutning som är isolerad från kanalen med ett tunt oxidskikt, vilket förbättrar dess prestanda och gör dem mycket effektiva. MOSFET:ar kan delas in i två olika typer:

MOSFET:ar med n-kanal: där elektroner är de primära bärarna.
MOSFET:ar med p-kanal: där hål är de primära bärarna.

MOSFET:ar är att föredra i många tillämpningar tack vare deras låga strömförbrukning, snabba switchning och förmåga att hantera stora strömmar och spänningar. De är avgörande i digitala och analoga kretsar, inklusive strömförsörjning, motorstyrningar och radiofrekvenstillämpningar.

MOSFET:ars funktion kan delas upp i två olika lägen:

Förbättringsläge: I det här läget är MOSFET:en normalt avstängd när gate-source spänningen är noll. Den kräver en positiv gate-source spänning (för n-kanal) eller en negativ gate-source spänning (för p-kanal) för att slås på.
Tömningsläge: I det här läget är MOSFET:en normalt på när gate-source spänningen är noll. Om man lägger på en gate-source spänning med motsatt polaritet kan den stängas av.

MOSFET:ar har flera fördelar, t.ex:

Hög verkningsgrad: De förbrukar väldigt lite ström och kan växla läge snabbt, vilket gör dem väldigt effektiva i tillämpningar för strömhantering.
Låg resistans vid tillslag: De har låg tillslagsresistans, vilket minimerar strömförluster och värmeutveckling.
Hög ingångsimpedans: Konstruktionen med en isolerad gate ger en extremt hög ingångsimpedans, vilket gör dem perfekta för signalförstärkning med hög impedans.

Sammanfattningsvis är FET:ar, och i synnerhet MOSFET:ar, grundläggande komponenter i modern elektronik, och är kända för sin verkningsgrad, snabbhet och mångsidighet i en stor mängd tillämpningar, allt från signalförstärkning med låg effekt till switchning och styrning med hög effekt.