TK65G10N1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage | Diskreta halvledarprodukter

TK65G10N1,RQ har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

I lager: 6 196

Enhetspris : kr 22,30000

Similar

onsemi

I lager: 1 379

Enhetspris : kr 45,93000

Similar

STMicroelectronics

I lager: 150

Enhetspris : kr 38,46000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TK65G10N1,RQ
DigiKeys produktnummer	TK65G10N1RQTR-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TK65G10N1,RQ
Beskrivning	MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 65 A (Ta) 156W (Tc) Ytmontering D2PAK
EDA-/CAD-modeller	TK65G10N1,RQ Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Förpackning	Remsa och spole (TR)
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	65 A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	4,5mOhm vid 32,5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	5400 pF @ 50 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	156W (Tc)
Arbetstemperatur	150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	D2PAK
Inkapsling/låda	TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer	TK65G10