Name: 2SD1223(TE16L1,NQ)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-2SD1223(TE16L1,NQ)TR-ND
Price: 16.8875 SEK
Availability: OutOfStock

2SD1223(TE16L1,NQ) är slut i lager och kan restnoteras.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

MJD44E3T4G

onsemi

I lager: 15 972

Enhetspris : kr 10,49000

Datablad

Similar

MJD6039T4G

onsemi

I lager: 1 706

Enhetspris : kr 12,95000

Datablad

Visa och jämför alla ersättningsprodukter

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

2SD1223(TE16L1,NQ)
DigiKeys produktnummer	264-2SD1223(TE16L1,NQ)TR-ND - Remsa och spole (TR) 264-2SD1223(TE16L1,NQ)CT-ND - Remsbit (CT) 264-2SD1223(TE16L1,NQ)DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	2SD1223(TE16L1,NQ)
Beskrivning	TRANS NPN DARL 80V 4A PW-MOLD
Tillverkarens standardleveranstid	20 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	Transistorer - Bipolära (BJT) - enkla NPN - Darlington 80 V 4 A 1 W Ytmontering PW-MOLD
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	2SD1223(TE16L1,NQ) Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer Bipolära (BJT) Bipolära transistorer, separata
Tillv.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
Transistortyp	NPN - Darlington
Ström - kollektor (Ic) (max)	4 A
Spänning - kollektor-emitter-genombrott (max)	80 V
Vce-mättnad (max) @ Ib, Ic	1,5V vid 6mA, 3A
Ström - kollektorgräns (max)	20µA (ICBO)
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ Ic, Vce	1000 vid 3A, 2V
Effekt - max	1 W
Frekvens - övergång	-
Arbetstemperatur	150°C (TJ)
Monteringstyp	Ytmontering
Inkapsling/låda	TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Leverantörens enhetsförpackning	PW-MOLD
Basproduktens nummer	2SD1223