SCTW90N65G2V är slut i lager och kan restnoteras.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar


Microchip Technology
I lager: 138
Enhetspris : kr 15,31000

Similar


Rohm Semiconductor
I lager: 200
Enhetspris : kr 40,85000
Datablad

Similar


Taiwan Semiconductor Corporation
I lager: 300
Enhetspris : kr 12,42000
Datablad
N-kanal 650 V 90 A (Tc) 390W (Tc) Genomgående hål HiP247™
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SCTW90N65G2V

DigiKeys produktnummer
497-18351-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
SCTW90N65G2V
Beskrivning
SICFET N-CH 650V 90A HIP247
Tillverkarens standardleveranstid
21 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 90 A (Tc) 390W (Tc) Genomgående hål HiP247™
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
SCTW90N65G2V Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
25mOhm vid 50A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
157 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3300 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
390W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-200°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
HiP247™
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

0 i lager
Kontrollera leveranstid
Begär lagermeddelande
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 254,15000kr 254,15
30kr 182,62233kr 5 478,67
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 254,15000
Enhetspris inkl. moms:kr 317,68750