Name: SCTW40N120G2VAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTW40N120G2VAG-ND
Price: 21.5 USD
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SCTW40N120G2VAG
DigiKeys produktnummer	497-SCTW40N120G2VAG-ND
Tillverkare	STMicroelectronics
Tillverkarens produktnummer	SCTW40N120G2VAG
Beskrivning	SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
Tillverkarens standardleveranstid	17 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 33 A (Tc) 290W (Tc) Genomgående hål HiP247™
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	STMicroelectronics
Serie	-
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	33 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	18V
Rds On (max) @ Id, Vgs	105mOhm vid 20A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	63 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+22V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1230 pF @ 800 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	290W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-200°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	HiP247™
Inkapsling/låda	TO-247-3
Basproduktens nummer	SCTW40

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 366

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i USD

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	$ 17,20000	$ 17,20
30	$ 10,66800	$ 320,04
120	$ 9,31500	$ 1 117,80

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.