N-kanal 1200 V 33 A (Tc) 290W (Tc) Genomgående hål HiP247™
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SCTW40N120G2VAG

DigiKeys produktnummer
497-SCTW40N120G2VAG-ND
Tillverkare
STMicroelectronics
Tillverkarens produktnummer
SCTW40N120G2VAG
Beskrivning
SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
Tillverkarens standardleveranstid
21 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 33 A (Tc) 290W (Tc) Genomgående hål HiP247™
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
STMicroelectronics
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
33 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
105mOhm vid 20A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1230 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
290W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-200°C (TJ)
Grad
Automotive
Godkännande
AEC-Q101
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
HiP247™
Inkapsling/låda
TO-247-3
Basproduktens nummer
SCTW40
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 332
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 158,70000kr 158,70
30kr 98,43267kr 2 952,98
120kr 85,94858kr 10 313,83
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 158,70000
Enhetspris inkl. moms:kr 198,37500