N-kanal 750 V 56 A (Tc) 176W Genomgående hål TO-247N
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 750 V 56 A (Tc) 176W Genomgående hål TO-247N
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look

SCT4026DEC11

DigiKeys produktnummer
846-SCT4026DEC11-ND
Tillverkare
Rohm Semiconductor
Tillverkarens produktnummer
SCT4026DEC11
Beskrivning
750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Tillverkarens standardleveranstid
27 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 750 V 56 A (Tc) 176W Genomgående hål TO-247N
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
750 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
56 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
34mOhm vid 29A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,8V vid 15,4mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
94 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+21V, -4V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2320 pF @ 500 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
176W
Arbetstemperatur
175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247N
Inkapsling/låda
TO-247-3
Basproduktens nummer
SCT4026
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 4 843
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 166,12000kr 166,12
30kr 112,49500kr 3 374,85
120kr 107,70700kr 12 924,84
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 166,12000
Enhetspris inkl. moms:kr 207,65000