NC1M120C12HTNG
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

NC1M120C75HTNG

DigiKeys produktnummer
3372-NC1M120C75HTNG-ND
Tillverkare
NovuSem
Tillverkarens produktnummer
NC1M120C75HTNG
Beskrivning
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 47 A (Tc) 288W (Ta) Genomgående hål TO-247-4L
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
NovuSem
Serie
NC1M
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
47 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
20V
Rds On (max) @ Id, Vgs
75mOhm vid 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,8V vid 5mA
Vgs (Max)
+20V, -5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1450 pF @ 1000 V
Effektförlust (max)
288W (Ta)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247-4L
Inkapsling/låda
TO-247-4
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 0
Ej annullerbar/ej returnerbar
MARKETPLACE-PRODUKT
Skickas från NextGen Components
Leveranstid ej tillgänglig / Restordrar ej möjligt
En separat leveransavgift kan förekomma.