Ny produkt
N-kanal 1200 V 21 A (Tc) 147W (Tc) Genomgående hål TO-247-4
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

MSC180SMA120B4N

DigiKeys produktnummer
150-MSC180SMA120B4N-ND
Tillverkare
Microchip Technology
Tillverkarens produktnummer
MSC180SMA120B4N
Beskrivning
MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-24
Tillverkarens standardleveranstid
4 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 21 A (Tc) 147W (Tc) Genomgående hål TO-247-4
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Microchip Technology
Serie
MSiC™ MA
Förpackning
Bulk
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
21 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V, 20V
Rds On (max) @ Id, Vgs
225mOhm vid 8A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V vid 500µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+23V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
481 pF @ 1.2 kV
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
147W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247-4
Inkapsling/låda
TO-247-4
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 150
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Bulk
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 55,80000kr 55,80
25kr 51,46240kr 1 286,56
100kr 44,78140kr 4 478,14
Enhetspris exkl. moms:kr 55,80000
Enhetspris inkl. moms:kr 69,75000