N-kanal 1200 V 35 A (Tc) 182W (Tc) Ytmontering TO-263-7
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

MSC080SMA120SDT/R

DigiKeys produktnummer
150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Tillverkare
Microchip Technology
Tillverkarens produktnummer
MSC080SMA120SDT/R
Beskrivning
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
Tillverkarens standardleveranstid
4 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 35 A (Tc) 182W (Tc) Ytmontering TO-263-7
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Microchip Technology
Serie
MSiC™ MA
Förpackning
Bulk
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
35 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
20V
Rds On (max) @ Id, Vgs
100mOhm vid 15A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,8V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+23V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
838 pF @ 1000 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
182W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
TO-263-7
Inkapsling/låda
TO-263-8, D2PAK (7 stift + flik), TO-263CA
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 797
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Bulk
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 102,56000kr 102,56
25kr 94,61880kr 2 365,47
100kr 82,33990kr 8 233,99
Enhetspris exkl. moms:kr 102,56000
Enhetspris inkl. moms:kr 128,20000