Ny produkt
N-kanal 1200 V 69 A (Tc) 310W (Tc) Genomgående hål TO-247-4
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

MSC030SMB120B4N

DigiKeys produktnummer
150-MSC030SMB120B4N-ND
Tillverkare
Microchip Technology
Tillverkarens produktnummer
MSC030SMB120B4N
Beskrivning
MOSFET SIC 1200 V 30 MOHM TO-247
Tillverkarens standardleveranstid
4 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 69 A (Tc) 310W (Tc) Genomgående hål TO-247-4
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Microchip Technology
Serie
mSiC™
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
69 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
40mOhm vid 15A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V vid 1,7mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+21V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2201 pF @ 1000 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
310W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247-4
Inkapsling/låda
TO-247-4
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 109
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 105,36000kr 105,36
25kr 97,14680kr 2 428,67
100kr 84,59700kr 8 459,70
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 105,36000
Enhetspris inkl. moms:kr 131,70000