IXFH50N60X IXYS | Diskreta halvledarprodukter

IXFH50N60X
DigiKeys produktnummer	IXFH50N60X-ND
Tillverkare	IXYS
Tillverkarens produktnummer	IXFH50N60X
Beskrivning	MOSFET N-CH 600V 50A TO247
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 600 V 50 A (Tc) 660W (Tc) Genomgående hål TO-247 (IXTH)
Datablad	Datablad

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	IXYS
Serie	HiPerFET™, Ultra X
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	600 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	50 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	73mOhm vid 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4,5V vid 4mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	116 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	4660 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	660W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	TO-247 (IXTH)
Inkapsling/låda	TO-247-3
Basproduktens nummer	IXFH50

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Jag samtycker till att få e-postmeddelanden med marknadsföring från DigiKey (valfritt). Jag förstår att jag kan dra tillbaka mitt samtycke närsomhelst. Se vår Integritetspolicy.

INFORMATION

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

HJÄLP

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

KONTAKTA OSS

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

IXFH50N60X

INFORMATION

HJÄLP

KONTAKTA OSS

FÖLJ OSS