IPW65R150CFDFKSA1 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Parametrisk ekvivalent


Infineon Technologies
I lager: 240
Enhetspris : kr 42,35000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 566
Enhetspris : kr 123,27000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 0
Enhetspris : kr 25,68050
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 309
Enhetspris : kr 38,11000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 582
Enhetspris : kr 37,18000
Datablad

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
I lager: 23
Enhetspris : kr 51,21000
Datablad
N-kanal 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-3
PG-TO247-3

IPW65R150CFDFKSA1

DigiKeys produktnummer
448-IPW65R150CFDFKSA1-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IPW65R150CFDFKSA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-3
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
150mOhm vid 9,3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,5V vid 900µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2340 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
195,3W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO247-3
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.