
STW26N60M2 | |
|---|---|
DigiKeys produktnummer | STW26N60M2-ND |
Tillverkare | |
Tillverkarens produktnummer | STW26N60M2 |
Beskrivning | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 |
Tillverkarens standardleveranstid | 20 veckor |
Kundreferens | |
Detaljerad beskrivning | N-kanal 600 V 20 A (Tc) 169W (Tc) Genomgående hål TO-247-3 |
Datablad | Datablad |
EDA-/CAD-modeller | STW26N60M2 Modeller |
Kategori | Vgs(th) (Max) @ Id 4V vid 250µA |
Tillv. | Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max) ±25V |
Förpackning Rör | Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1360 pF @ 100 V |
Artikelstatus Aktiv | Effektförlust (max) 169W (Tc) |
FET-typ | Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ) |
Teknologi | Monteringstyp Genomgående hål |
Drain till source-spänning (Vdss) 600 V | Leverantörens enhetsförpackning TO-247-3 |
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C | Inkapsling/låda |
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V | Basproduktens nummer |
Rds On (max) @ Id, Vgs 165mOhm vid 10A, 10V |
| Artikelnummer | Tillverkare | Tillgängligt antal | DigiKeys produktnummer | Enhetspris | Typ av ersättningsartikel |
|---|---|---|---|---|---|
| R6022YNZ4C13 | Rohm Semiconductor | 587 | 846-R6022YNZ4C13-ND | kr 68,15000 | Similar |
| SCT3120ALGC11 | Rohm Semiconductor | 282 | SCT3120ALGC11-ND | kr 97,16000 | Similar |
| SIHG24N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 378 | 742-SIHG24N65E-GE3-ND | kr 66,14000 | Similar |
| Antal | Enhetspris | Totalpris |
|---|---|---|
| 1 | kr 40,32000 | kr 40,32 |
| 10 | kr 26,53900 | kr 265,39 |
| 100 | kr 18,69140 | kr 1 869,14 |
| 600 | kr 15,04018 | kr 9 024,11 |
| 1 200 | kr 14,01255 | kr 16 815,06 |
| 2 400 | kr 13,14886 | kr 31 557,26 |
| 5 400 | kr 12,91716 | kr 69 752,66 |
| Enhetspris exkl. moms: | kr 40,32000 |
|---|---|
| Enhetspris inkl. moms: | kr 50,40000 |

