N-kanal 650 V 21 A (Tc) 103W (Tc) Genomgående hål TO-247N
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 650 V 21 A (Tc) 103W (Tc) Genomgående hål TO-247N
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT3120ALGC11

DigiKeys produktnummer
SCT3120ALGC11-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
SCT3120ALGC11
Beskrivning
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Tillverkarens standardleveranstid
27 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 21 A (Tc) 103W (Tc) Genomgående hål TO-247N
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
SCT3120ALGC11 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
156mOhm vid 6,7A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5,6V vid 3,33mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -4V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
460 pF @ 500 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
103W (Tc)
Arbetstemperatur
175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247N
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 282
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 77,28000kr 77,28
30kr 47,62533kr 1 428,76
120kr 45,09883kr 5 411,86
510kr 41,30539kr 21 065,75
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 77,28000
Enhetspris inkl. moms:kr 96,60000