N-kanal 650 V 21 A (Tc) 103W (Tc) Genomgående hål TO-247N
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 650 V 21 A (Tc) 103W (Tc) Genomgående hål TO-247N
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT3120ALGC11

DigiKeys produktnummer
SCT3120ALGC11-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
SCT3120ALGC11
Beskrivning
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Tillverkarens standardleveranstid
27 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 21 A (Tc) 103W (Tc) Genomgående hål TO-247N
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
SCT3120ALGC11 Modeller
Produktattribut
Hitta liknande produkter
Visa tomma attribut
Kategori
Vgs(th) (Max) @ Id
5,6V vid 3,33mA
Tillv.
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 18 V
Förpackning
Rör
Vgs (Max)
+22V, -4V
Artikelstatus
Aktiv
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
460 pF @ 500 V
FET-typ
Effektförlust (max)
103W (Tc)
Teknologi
Arbetstemperatur
175°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Monteringstyp
Genomgående hål
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247N
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Inkapsling/låda
Rds On (max) @ Id, Vgs
156mOhm vid 6,7A, 18V
Basproduktens nummer
Miljö- och exportklassificeringar
Frågor och svar om produkter
Ytterligare resurser
I lager: 282
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 97,16000kr 97,16
30kr 57,47567kr 1 724,27
120kr 48,76142kr 5 851,37
510kr 42,37859kr 21 613,08
1 020kr 41,73819kr 42 572,95
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 97,16000
Enhetspris inkl. moms:kr 121,45000