N-kanal 650 V 20 A (Tc) 75W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-3-41
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMW65R107M1HXKSA1

DigiKeys produktnummer
448-IMW65R107M1HXKSA1-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IMW65R107M1HXKSA1
Beskrivning
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 20 A (Tc) 75W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-3-41
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IMW65R107M1HXKSA1 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Inte för nya designer
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
142mOhm vid 8,9A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5,7V vid 3mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
496 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
75W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO247-3-41
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 346
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Rekommenderas ej för nya konstruktioner. Miniminivåer kan förekomma. Visa Ersättningsartiklar.
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 64,77000kr 64,77
30kr 37,02767kr 1 110,83
120kr 30,92808kr 3 711,37
510kr 26,45771kr 13 493,43
1 020kr 24,82700kr 25 323,54
2 010kr 24,38854kr 49 020,97
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 64,77000
Enhetspris inkl. moms:kr 80,96250