Name: IMW65R060M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R060M2HXKSA1-ND
Price: 86.1125 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMW65R060M2HXKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IMW65R060M2HXKSA1-ND
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMW65R060M2HXKSA1
Beskrivning	IMW65R060M2HXKSA1
Tillverkarens standardleveranstid	23 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 32,8A (Tc) 130W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-3-40
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMW65R060M2HXKSA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	32,8A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	15V, 20V
Rds On (max) @ Id, Vgs	55mOhm vid 15,4A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id	5,6V vid 3,1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+23V, -7V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	669 pF @ 400 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	130W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO247-3-40
Inkapsling/låda	TO-247-3

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 375

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 68,89000	kr 68,89
30	kr 39,78133	kr 1 193,44
120	kr 33,38683	kr 4 006,42
510	kr 29,81012	kr 15 203,16

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.