Name: IMT65R060M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R060M2HXUMA1TR-ND
Price: 74.425 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

IMT65R060M2HXUMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMT65R060M2HXUMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IMT65R060M2HXUMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IMT65R060M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMT65R060M2HXUMA1
Beskrivning	SILICON CARBIDE MOSFET
Tillverkarens standardleveranstid	23 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 41,4A (Tc) 208W (Tc) Ytmontering PG-HSOF-8-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMT65R060M2HXUMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	41,4A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	15V, 20V
Rds On (max) @ Id, Vgs	55mOhm vid 15,4A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id	5,6V vid 3,1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+23V, -7V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	669 pF @ 400 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	208W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-HSOF-8-2
Inkapsling/låda	8-PowerSFN

Enhetspris exkl. moms:	kr 59,54000
Enhetspris inkl. moms:	kr 74,42500

IMT65R060M2HXUMA1