Name: IMZC120R078M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZC120R078M2HXKSA1-ND
Price: 95.0875 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMZC120R078M2HXKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IMZC120R078M2HXKSA1-ND
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMZC120R078M2HXKSA1
Beskrivning	SICFET N-CH 1200V 28A TO247
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 28 A (Tc) 143W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4-17
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMZC120R078M2HXKSA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	28 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs	78mOhm vid 9A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5,1V vid 2,8mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+23V, -7V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	700 pF @ 800 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	143W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO247-4-17
Inkapsling/låda	TO-247-4

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 60

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 76,07000	kr 76,07
30	kr 44,28267	kr 1 328,48
120	kr 37,30783	kr 4 476,94
510	kr 33,99053	kr 17 335,17

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.