N-kanal 1200 V 28 A (Tc) 143W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4-17
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 1200 V 28 A (Tc) 143W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4-17
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R078M2HXKSA1

DigiKeys produktnummer
448-IMZC120R078M2HXKSA1-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IMZC120R078M2HXKSA1
Beskrivning
SICFET N-CH 1200V 28A TO247
Tillverkarens standardleveranstid
45 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 28 A (Tc) 143W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4-17
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IMZC120R078M2HXKSA1 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
78mOhm vid 9A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5,1V vid 2,8mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
143W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO247-4-17
Inkapsling/låda
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 430
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 82,29000kr 82,29
30kr 48,00267kr 1 440,08
120kr 40,46475kr 4 855,77
510kr 34,94416kr 17 821,52
1 020kr 33,53079kr 34 201,41
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 82,29000
Enhetspris inkl. moms:kr 102,86250