N-kanal 1200 V 48 A (Tc) 218W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4-17
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 1200 V 48 A (Tc) 218W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4-17
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R040M2HXKSA1

DigiKeys produktnummer
448-IMZC120R040M2HXKSA1-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IMZC120R040M2HXKSA1
Beskrivning
SICFET N-CH 1200V 48A TO247
Tillverkarens standardleveranstid
45 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 48 A (Tc) 218W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4-17
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IMZC120R040M2HXKSA1 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
40mOhm vid 18A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5,1V vid 5,5mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1310 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
218W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO247-4-17
Inkapsling/låda
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 612
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 108,93000kr 108,93
30kr 65,04167kr 1 951,25
120kr 55,41975kr 6 650,37
510kr 48,46190kr 24 715,57
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 108,93000
Enhetspris inkl. moms:kr 136,16250