Name: IMZA65R015M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R015M2HXKSA1-ND
Price: 243.7 SEK
Availability: OutOfStock

N-kanal 650 V 103 A (Tc) 341W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4-8

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMZA65R015M2HXKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IMZA65R015M2HXKSA1-ND
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMZA65R015M2HXKSA1
Beskrivning	SILICON CARBIDE MOSFET
Tillverkarens standardleveranstid	61 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 103 A (Tc) 341W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4-8
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 5,6V vid 13mA
Tillv. Infineon Technologies	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 79 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™ Gen 2	Vgs (Max) +23V, -7V
Förpackning Rör	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 2792 pF @ 400 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 341W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Teknologi SiCFET (kiselkarbid)	Monteringstyp Genomgående hål
Drain till source-spänning (Vdss) 650 V	Leverantörens enhetsförpackning PG-TO247-4-8
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 103 A (Tc)	Inkapsling/låda TO-247-4
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 15V, 20V	Basproduktens nummer IMZA65R015
Rds On (max) @ Id, Vgs 13,2mOhm vid 64,2A, 20V

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 0

Kontrollera leveranstid

Begär lagermeddelande

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 194,96000	kr 194,96
30	kr 120,82333	kr 3 624,70
120	kr 104,59558	kr 12 551,47
510	kr 92,71931	kr 47 286,85
1 020	kr 88,39122	kr 90 159,04

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.