IMZC120R022M2HXKSA1
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
IMZC120R022M2HXKSA1
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R026M2HXKSA1

DigiKeys produktnummer
448-IMZC120R026M2HXKSA1-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IMZC120R026M2HXKSA1
Beskrivning
SICFET N-CH 1200V 69A TO247
Tillverkarens standardleveranstid
26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 69 A (Tc) 289W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4-17
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IMZC120R026M2HXKSA1 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
25mOhm vid 27A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5,1V vid 8,6mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1990 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
289W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO247-4-17
Inkapsling/låda
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

I lager: 240
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 125,87000kr 125,87
30kr 76,52933kr 2 295,88
120kr 65,78850kr 7 894,62
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 125,87000
Enhetspris inkl. moms:kr 157,33750