Name: BSZ160N10NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ160N10NS3GATMA1TR-ND
Price: 24.45 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

BSZ160N10NS3GATMA1
DigiKeys produktnummer	BSZ160N10NS3GATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) BSZ160N10NS3GATMA1CT-ND - Remsbit (CT) BSZ160N10NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	BSZ160N10NS3GATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 8 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 63W (Tc) Ytmontering PG-TSDSON-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSZ160N10NS3GATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	8 A (Ta), 40 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	16mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,5V vid 12µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1700 pF @ 50 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2,1W (Ta), 63W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TSDSON-8
Inkapsling/låda	8-PowerTDFN
Basproduktens nummer	BSZ160

Enhetspris exkl. moms:	kr 19,56000
Enhetspris inkl. moms:	kr 24,45000

BSZ160N10NS3GATMA1