SiC-likriktare

STMicroelectronics kiselkarbid-strukturerade Schottky-diodomkoppling gör det möjligt för konstruktörer att nå en högre nivå på effektivitet och effekttäthet. Med strömklassningar från 2 A till 40 A, täcker ST:s 650 V och 1200 V SiC-diodfamiljer såväl industridedikerade som fordonsklassade AEC-Q101-komponenter i ytmonterade format som DPAK HV (högspänning) och D²PAK, eller hålmonterade TO-220AC och TO-247LL (långa ben).

ST:s utbud av 1200 V kisel-karbid (SiC) JBS-dioder (Junction Barrier Schottky) uppfyller konstruktörers behov av överlägsen effektivitet, låg vikt, litet format och förbättrad termisk karakteristik för prestandaorienterade tillämpningar.

Med sin enastående framspänning (låg V_F) och robusthet på toppnivå, erbjuder ST:s 1200 V SiC-dioder extra frihet för att uppnå hög effektivitet och tillförlitlighet med en lägre strömklassning och därför lägre kostnader, vilket reducerar drifttemperaturen och förlänger tillämpningens livslängd. De fungerar perfekt i alla switchande omvandlare och växelriktare där extrem effekttäthet och effektivitet behövs, såsom i SMPS, UPS, solcellskretsar och motordrivkretsar.

Med strömklassningar från 2 A till 40 A, omfattar ST:s 1200 V SiC-diodfamiljen industridedikerade samt fordonsklassade AEC-Q101-komponenter i ytmonterade format som DPAK HV (högspänning) och D²PAK, eller hålmonterade TO-220AC och TO-247LL (långa ben).

ST:s 1200 V SiC gör det möjligt att uppfylla höga krav i små format.