Name: SISS5623DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND
Price: 30.3375 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SISS5623DN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SISS5623DN-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SISS5623DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SISS5623DN-T1-GE3
Beskrivning	P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 60 V 10,5A (Ta), 36,3A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8S
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SISS5623DN-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 2,6V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) ±20V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1575 pF @ 30 V
FET-typ P-kanal	Effektförlust (max) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 60 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 10,5A (Ta), 36,3A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® 1212-8S
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Inkapsling/låda PowerPAK® 1212-8S
Rds On (max) @ Id, Vgs 24mOhm vid 10A, 10V	Basproduktens nummer SISS5623