Name: SIRA52DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA52DP-T1-GE3TR-ND
Price: 22.8 SEK
Availability: OutOfStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

SIRA52DP-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SIRA52DP-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SIRA52DP-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SIRA52DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIRA52DP-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Tillverkarens standardleveranstid	33 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 40 V 60 A (Tc) 48W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIRA52DP-T1-GE3 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	40 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	60 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	1,7mOhm vid 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (Max)	+20V, -16V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	7150 pF @ 20 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	48W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® SO-8
Inkapsling/låda	PowerPAK® SO-8
Basproduktens nummer	SIRA52

Antal	Enhetspris	Totalpris
3 000	kr 5,02942	kr 15 088,26
6 000	kr 4,72500	kr 28 350,00

Enhetspris exkl. moms:	kr 18,24000
Enhetspris inkl. moms:	kr 22,80000

SIRA52DP-T1-GE3