Name: RQ3E180GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E180GNTBTR-ND
Price: 13.3375 SEK
Availability: InStock

RQ3E180GNTB
DigiKeys produktnummer	RQ3E180GNTBTR-ND - Remsa och spole (TR) RQ3E180GNTBCT-ND - Remsbit (CT) RQ3E180GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Rohm Semiconductor
Tillverkarens produktnummer	RQ3E180GNTB
Beskrivning	MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 30 V 18A (Ta), 39A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Ytmontering 8-HSMT (3,2x3)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	RQ3E180GNTB Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	18A (Ta), 39A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	4,3mOhm vid 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	22.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1520 pF @ 15 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2W (Ta), 20W (Tc)
Arbetstemperatur	150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	8-HSMT (3,2x3)
Inkapsling/låda	8-PowerVDFN
Basproduktens nummer	RQ3E180

Enhetspris exkl. moms:	kr 10,67000
Enhetspris inkl. moms:	kr 13,33750

RQ3E180GNTB