SCT2280KEC Rohm Semiconductor | Diskreta halvledarprodukter

SCT2280KEC
DigiKeys produktnummer	SCT2280KEC-ND
Tillverkare	Rohm Semiconductor
Tillverkarens produktnummer	SCT2280KEC
Beskrivning	SICFET N-CH 1200V 14A TO247
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 14 A (Tc) 108W (Tc) Genomgående hål TO-247
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SCT2280KEC Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	14 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	18V
Rds On (max) @ Id, Vgs	364mOhm vid 4A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 1,4mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	36 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+22V, -6V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	667 pF @ 800 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	108W (Tc)
Arbetstemperatur	175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	TO-247
Inkapsling/låda	TO-247-3
Basproduktens nummer	SCT2280

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Jag samtycker till att få e-postmeddelanden med marknadsföring från DigiKey (valfritt). Jag förstår att jag kan dra tillbaka mitt samtycke närsomhelst. Se vår Integritetspolicy.

INFORMATION

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

HJÄLP

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

KONTAKTA OSS

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

SCT2280KEC

INFORMATION

HJÄLP

KONTAKTA OSS

FÖLJ OSS