N-kanal 1200 V 14 A (Tc) 108W (Tc) Genomgående hål TO-247N
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 1200 V 14 A (Tc) 108W (Tc) Genomgående hål TO-247N
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT2280KEGC11

DigiKeys produktnummer
846-SCT2280KEGC11-ND
Tillverkare
Rohm Semiconductor
Tillverkarens produktnummer
SCT2280KEGC11
Beskrivning
1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE
Tillverkarens standardleveranstid
23 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 14 A (Tc) 108W (Tc) Genomgående hål TO-247N
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
14 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
364mOhm vid 4A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 1,4mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -6V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
667 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
108W (Tc)
Arbetstemperatur
175°C
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247N
Inkapsling/låda
TO-247-3
Basproduktens nummer
SCT2280
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

0 i lager
Kontrollera leveranstid
Begär lagermeddelande
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 132,87000kr 132,87
10kr 93,31200kr 933,12
450kr 68,27907kr 30 725,58
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 132,87000
Enhetspris inkl. moms:kr 166,08750