IPA65R660CFDXKSA1 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar


STMicroelectronics
I lager: 992
Enhetspris : kr 33,22000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 1 359
Enhetspris : kr 28,70000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 953
Enhetspris : kr 47,43000
Datablad

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
I lager: 17
Enhetspris : kr 27,96000
Datablad
N-kanal 650 V 6 A (Tc) 27,8W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3-111
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPA65R660CFDXKSA1

DigiKeys produktnummer
IPA65R660CFDXKSA1-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IPA65R660CFDXKSA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 6 A (Tc) 27,8W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3-111
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
660mOhm vid 2,1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,5V vid 200µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
615 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
27,8W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO220-3-111
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.