Name: IMZA65R007M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R007M2HXKSA1-ND
Price: 417.5 SEK
Availability: InStock

N-kanal 650 V 210 A (Tc) 625W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4-U02

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMZA65R007M2HXKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IMZA65R007M2HXKSA1-ND
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMZA65R007M2HXKSA1
Beskrivning	SICFET N-CH 650V 210A PG-TO247-4
Tillverkarens standardleveranstid	61 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 210 A (Tc) 625W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4-U02
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMZA65R007M2HXKSA1 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Rds On (max) @ Id, Vgs 8,5mOhm vid 146,3A, 18V
Tillv. Infineon Technologies	Vgs(th) (Max) @ Id 5,6V vid 29,7mA
Serie CoolSiC™	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 179 nC @ 18 V
Förpackning Rör	Vgs (Max) +23V, -7V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 6359 pF @ 400 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 625W (Tc)
Teknologi SiCFET (kiselkarbid)	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 650 V	Monteringstyp Genomgående hål
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 210 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning PG-TO247-4-U02
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 15V, 20V	Inkapsling/låda TO-247-4

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 906

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 334,00000	kr 334,00
30	kr 217,06900	kr 6 512,07
120	kr 191,52125	kr 22 982,55
510	kr 172,83533	kr 88 146,02

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.