
IMW65R007M2HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKeys produktnummer | 448-IMW65R007M2HXKSA1-ND |
Tillverkare | |
Tillverkarens produktnummer | IMW65R007M2HXKSA1 |
Beskrivning | SILICON CARBIDE MOSFET |
Tillverkarens standardleveranstid | 23 veckor |
Kundreferens | |
Detaljerad beskrivning | N-kanal 650 V 171 A (Tc) 625W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-3-U06 |
Datablad | Datablad |
EDA-/CAD-modeller | IMW65R007M2HXKSA1 Modeller |
Typ | Beskrivning | Välj alla |
|---|---|---|
Kategori | ||
Tillv. | ||
Serie | ||
Förpackning | Rör | |
Artikelstatus | Aktiv | |
FET-typ | ||
Teknologi | ||
Drain till source-spänning (Vdss) | 650 V | |
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C | ||
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) | 15V, 20V | |
Rds On (max) @ Id, Vgs | 6,1mOhm vid 146,3A, 20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5,6V vid 29,7mA | |
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs | 179 nC @ 18 V | |
Vgs (Max) | +23V, -7V | |
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 6359 pF @ 400 V | |
FET-funktion | - | |
Effektförlust (max) | 625W (Tc) | |
Arbetstemperatur | -55°C-175°C (TJ) | |
Grad | - | |
Godkännande | - | |
Monteringstyp | Genomgående hål | |
Leverantörens enhetsförpackning | PG-TO247-3-U06 | |
Inkapsling/låda |
| Antal | Enhetspris | Totalpris |
|---|---|---|
| 1 | kr 262,62000 | kr 262,62 |
| 30 | kr 170,32367 | kr 5 109,71 |
| 120 | kr 168,45417 | kr 20 214,50 |
| Enhetspris exkl. moms: | kr 262,62000 |
|---|---|
| Enhetspris inkl. moms: | kr 328,27500 |










