IKW75N120CH7XKSA1
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMW65R007M2HXKSA1

DigiKeys produktnummer
448-IMW65R007M2HXKSA1-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IMW65R007M2HXKSA1
Beskrivning
SILICON CARBIDE MOSFET
Tillverkarens standardleveranstid
23 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 171 A (Tc) 625W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-3-U06
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IMW65R007M2HXKSA1 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
15V, 20V
Rds On (max) @ Id, Vgs
6,1mOhm vid 146,3A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5,6V vid 29,7mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
179 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6359 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
625W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO247-3-U06
Inkapsling/låda
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 1 153
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 262,62000kr 262,62
30kr 170,32367kr 5 109,71
120kr 168,45417kr 20 214,50
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 262,62000
Enhetspris inkl. moms:kr 328,27500