Name: IMZA120R007M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA120R007M1HXKSA1-ND
Price: 544.675 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMZA120R007M1HXKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IMZA120R007M1HXKSA1-ND
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMZA120R007M1HXKSA1
Beskrivning	SIC DISCRETE
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 225 A (Tc) 750W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMZA120R007M1HXKSA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	225 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs	9,9mOhm vid 108A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5,2V vid 47mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	289 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+20V, -5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	9170 pF @ 800 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	750W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO247-4-8
Inkapsling/låda	TO-247-4

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 981

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 435,74000	kr 435,74
30	kr 316,65367	kr 9 499,61

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.