Name: IMBG65R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND
Price: 332.6375 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

IMBG65R007M2HXTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IMBG65R007M2HXTMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IMBG65R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMBG65R007M2HXTMA1
Beskrivning	SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Tillverkarens standardleveranstid	23 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 238A (Tc) 789W (Tc) Ytmontering PG-TO263-7-12
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMBG65R007M2HXTMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ Gen 2
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	238A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	15V, 20V
Rds On (max) @ Id, Vgs	8,5mOhm vid 146,3A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5,6V vid 2,97mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	179 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+23V, -7V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	6359 pF @ 400 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	789W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO263-7-12
Inkapsling/låda	TO-263-8, D2PAK (7 stift + flik), TO-263CA
Basproduktens nummer	IMBG65R007

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 266,11000	kr 266,11
10	kr 201,72900	kr 2 017,29

Enhetspris exkl. moms:	kr 266,11000
Enhetspris inkl. moms:	kr 332,63750

IMBG65R007M2HXTMA1