Name: IMCQ120R005M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies Americas Corp.
SKU: 448-IMCQ120R005M2HXUMA1TR-ND
Price: 603.0375 SEK
Availability: InStock

Ny produkt

N-kanal 1200 V 342A (Tc) 1364W (Tc) Ytmontering PG-HDSOP-22-3

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMCQ120R005M2HXUMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMCQ120R005M2HXUMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IMCQ120R005M2HXUMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IMCQ120R005M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies Americas Corp.
Tillverkarens produktnummer	IMCQ120R005M2HXUMA1
Beskrivning	SICFET N-CH 1200V 342A 22PWRBSOP
Tillverkarens standardleveranstid	39 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 342A (Tc) 1364W (Tc) Ytmontering PG-HDSOP-22-3
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Rds On (max) @ Id, Vgs 5mOhm vid 138,2A, 18V
Tillv. Infineon Technologies Americas Corp.	Vgs(th) (Max) @ Id 5,1V vid 43,4mA
Serie CoolSiC™ G2	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 261 nC @ 18 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) +23V, -7V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 9760 pF @ 800 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 1364W (Tc)
Teknologi SiCFET (kiselkarbid)	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 1200 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 342A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning PG-HDSOP-22-3
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 15V, 18V	Inkapsling/låda 22-PowerBSOP modul